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MAgnetophone TANDBERG serie 15-21 problème ampli

Bonjour à tous,
je rencontre un problème sur ce magnéto.

  1. le schéma joint est le modèle germanium, le mien est équipé silicium, le schéma est identique, aux valeurs de composants près. Q108 et Q109 sont des BD312, Q105 un BC547b, Q106 et Q107… je ne sais pas.
    Tous les composants sont OK (transistors contrôlés au multimètre ET au testeur chinois), la tension d’alim est à26V pour 24V, capas de filtrage et de sortie changées par des neufs.
    Problème: Sur le + de C117, donc au point milieu de Q108 et Q109, je devrais avoir 12V, soit Valim/2.
    C’est vrai pour du Ge, je suppose qu’il en est de même avec des transistors Si? Or je n’ai que 6V et Q108 chauffe.
    J’ai TOUT vérifié, les tensions sur les bases de Q106 et Q107 sont à 6V aussi, toujours au lieu du double.
    Je devrais avoir, selon le manuel de service, 30mA dans R133, j’ai pas loin de 700mA…
    J’ai bien 0,6V sur la base de Q105 (qui est une source de courant, non?).
    Je passe à côté de quoi?
    Bonne soirée,

J’ai oublié le schéma, désolé!!!

On voit mal ce qui attaque le réglage de balance, voici.

J’ai bien 17V sur le collecteur de Q104, C114 changé par du neuf, pas de fuite…

pour les 300mA de coutant de repos dans R133 il faut regler R129 pour l’amener a 30mA
ensuite R127 pour regler la sortie a12V mais il se peu que ce ne soit pas necessaire quand le courant de repos sera bon
si le courant de repos ne se regle pas voir la thermistance R130 ou la diode ou le transistor qui fait office de compensation en T°

Bonsoir
Comme indiqué sur le schéma , il faut avoir 0,6 V entre les bases de Q 106 et 107 .

Perso, je ferai un relevé des tensions E/B/C des transistors Q105 à Q109 (directement sur le schéma)…la méthode la plus efficace pour trouver une incohérence dans la chaîne des tensions statiques.

pas 0.6V son ampli est silicium plutôt 1.2 a 1.4 V

Non les drivers sont des Ge donc 0.4 a 0.7
La première chose a vérifier est la possibilité de réglage du courant de repos avec R127 puis la tension EB des transistors et particulièrement de Q105

curieux qu’il aient melangé Si et Ge ?

C’est assez curieux , mais une chose importante :mesurer la tension EB de tous les transistors , voir si R107 agit , puis court-circuiter les bases de Q106 et Q107 pour voir si le courant de repos tombe

C’est déjà fait

a mon avis il ne lui reste qu’a regler a moins que le pot de reglage ne soit mort………
ou que le testeur chinois ait laisse passer une transistor de mort

Oui mais controlés « in situ » ou bien dessoudés ?

Bonjour à tous, merci de vous intéresser à mon cas!!!
J’avoue être plus à l’aise avec des loupiottes…
Donc, transistors contrôlés dessoudé.
J’ai court-circuité la NTC R130, effectivement la consommation tombe et je peux régler aux alentours de 200mA avec R129. Je me retrouve donc avec une tension d’env 8,5V sur le collecteur de Q108, on progresse…mais je n’ai toujours pas mes 12V.
Je m’en vais mesurer les tensions EB des transistors…

il subsiste un probleme
soit votre pot est mort et n’amene pas la tension entre les base de Q106 et Q107 a zero
soit vous avez un transistor qui fait le zouave dans les drivers Q106 et Q107 ou dans le push de sortie Q108 et Q109

pour le controler court circuitez le pot entre ses deux extremites et verifiez que la tension entres les bases de Q106 et Q107 est bien nulle si c’est le cas le courant dans R 133 doit etre nul .
S’il ne l’est pas il a un des transistors Q106 Q107 Q108 Q109 qui fuit entre collecteur et emetteur

Normalement si la NTC est court-circuitée , le potentiomètre n’agit plus ou alors le schéma n’est pas le bon

BINGO!!!
Mesuré les tensions EB des transistors, entre 580 et 600mV, sauf Q105, 0V
Transistor changé, le magnétophone fonctionne!!!
Un grand merci à tous, et en particulier à F6CER!!!

Dernière question: la mesure de tension base-émetteur, j’ignorais cela. On a toujours 600mV pour du silicium?

Pourtant, ce fameux BC547 était OK au multimètre ET au testeur chinois… Une fois sous tension, CC base-émetteur…

2 « J'aime »

Comme quoi rien ne vaut la mesure in situ
En gros on doit trouver 0,2 à 0,4 V pour un germanium et 0,6 à 0,8V pour du silicium

1 « J'aime »

dans un système lineaire oui
pas dans un systeme fonctionnant en commutation ( tout ou rien) commande de voyant par un transistor par exemple, la cela varie suivant l’etat du transistor
pour un NPN par rapport a son emetteur
non conducteur ( bloqué) voisin de zero voire negatifc
conducteur ( (saturé) +0.6 a +0.8V pour du Si